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PP型分析

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发表于 2018-2-21 01:36:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 李维强-15级 于 2018-2-21 15:40 编辑

实物和仿真都做了,但是看到仿真和实物的数据很接近,转而研究仿真,因为改参数快
关于数学推导,网上一大把,论文上也一大把,但是关于PP型的却不多,而且国内期刊大部分对于PP型的描述我认为有误(详见这个帖子里面的问题http://www.cqutlab.cn/thread-313-1-1.html)。
下面给出我的分析和还存在的相关疑惑

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1、电路图
图1 1.png

上图中存在R3,R4的原因是为了在仿真上面模拟寄生电阻,并且为了仿真顺利,否则在电容那里瞬时电流太大,会出现仿真失败。图形错误,当然实际不会,仿真出来的波形和实际很接近。
其中MOS管需要在模型里面改个参数,也就是反向击穿电压Vds为500V(就是“编辑模型”里面找到BV的参数,改为500或以上),否则由于反向电压过大会出现漏电流,实际上会烧管子,我的3205就被烧过。
其中K1是耦合电感的设置,此时为M=0,即两个电感没有耦合。单独研究发射端的目的。
左边发射端,此时算出来谐振频率在200K左右,电路在该频率会发生谐振,因为R<<√(L/C),
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2、波形图
解法如图2 2.png

其他部分就不截图了,关键看上面的图2,分别在电源回路,电容,电感上面接电流探针,其中电流探针反向为:电源回路上探针向右,电容上探针向上,电感上探针向右。
其次接一个电压信号在电容的下侧(MOS管的D极)。实际上我关心的数据有5个:电源上的电流,电容上的电流,电感上的电流,MOS管D极的电压,频率的波形(就是MOS管G极的波形)。
由于仿真里面示波器最多是4通道,所以我用两个示波器的截图来展示着5个波形。

图3 4.png
图4 3.png

在这里附上我仿真的文件 互感线圈(无二极管).rar (908.17 KB, 下载次数: 19)
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 楼主| 发表于 2018-2-21 16:41:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 李维强-15级 于 2018-2-24 19:43 编辑

通过上面的分析,可以看出期间所有的能量,全部来自阶段5,电源对电感的充电,电容上所有的能量都是转化后返还给电感了,所以归根结底,就是电感上面得到电源冲的能量越多,那么在经过这样一个周期调整过后,能够释放出来的能量就越多,对于该种PP型组态,我直接上我推导出来的公式,该公式和国内大部分期刊不同,但我认为我是对的
7.png
8.png
其中Y代表引入阻抗,就是副边的等效到1次侧的阻抗,根据邱关源《电路》第5版,266页上面的描述,引入阻抗如果是2次侧为容性负载,那么到1次侧就是感性负载,反之亦然。而实际上PP型,后面都是电容稳压等,所以转到1次侧就是感性,而分子是M平方,也就可以理解为减去一个感性东西,所以,整个过程下来可以看成引入2次侧后,原边的电感实际上是变小的。然后我也想到另外一种解释,就是变压器耦合过后,无论如何原边的电感都会变小,因为这是楞次定律,原边变化的目的就是为了顶着楞次定律的压力给副边激励,让副边动起来,所以结论就是原边的电感L1一定会变小。。。

从电感功率出发来考虑
通过上面分析,知道了只要只要电感吸收的能量多,那么在一个震荡周期后,传递出去的能量才可能多,通过电感吸收功率公式:
图7 9.png
可以看到,当前电路下,U是一定的,在L一定的情况下,就看这个积分时间的长短了,积分时间越长,吸收的功率越大。显然,充电的时间越长,电感的能量越大。那么反过来,在充电时间和U一定的情况下,L越小,电感吸收的能量也越大。

上面的 2次侧接入过后,电感会变小,也可以用仿真来看到:其他条件都不变,在接入耦合之前,电感峰值电流2.2A左右,接入耦合之后,峰值在3.5A左右
图8 9.png

图9 10.png


那么,把耦合去掉,把电感变小,由现在的10uH变为7.5uH,那么此时电感峰值电流也在3.5A左右了,如下图
图10 11.png
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从谐振频率来考虑
按照60nF和10uH的发射端来算,电感和电容组成的谐振频率在205K左右,但是在该电路里面,可以看到在电容的下端完成一次充放电过程后,电感的电流是往上的,而且不会再次进入电容了,那么可以理解为电容是经历了一个震荡周期了,而电感还没有经历完整个周期,因为电感和电容本身就存在一个90°的相位差,在二阶电路全响应里面的等幅震荡也是如此。那么在电容完成一个周期的震荡后,电感实际上是反向的给电源充电(1楼的“阶段4”),所以整个过程下来,使得电源上面的消耗的电流大部分正负抵消,所以才看到仿真上面30mA左右的电流,(实际上有120MA左右,因为算了驱动部分的电流)
图11 1.png

从仿真上面看到,因为电源上面电流很小,所以可以看成是没有能量损耗的。那么从频率的角度去看,只要在MOS管关断后,电容完成一个充放电过程,电容在走这个过程之间,MOS管不能开通,那么所有能量都是在电感上传递的。所以按照该分析,我们MOS管的关断时间,只要符合大于电容充放电过程的时间即可。
图12 12.png

如果我把频率改高点,那么可以从下图13看到结果
图13 13.png
可以看到,这部分本身在电容上的能量,是从MOS管流走了,而没经过电感,所以这样实际上是能量的浪费。而且这个瞬间的电流会很大,在实际上对器件也不好,而且实际上由于大电流,会出现震铃现象,MOS的D极会有阻尼震荡。这会使得MOS管进入放大区,消耗能量,牺牲整个系统的效率。
图13 微信图片_20180222152304.jpg

而上图看到的一个波峰实际上,大概是整个谐振的半个周期,为什么说大概,因为在结尾处(也就是电容向电感放电过程中),电容下端电压在12V的时候,实际上是把能量放完了的。因为此时电容两端电压为0,而在MOS管关断后,电容下端电压开始上升,当上升到12V的时候,电容两端的电压为0,电容此刻内部也没有能量,所以我认为,这两个电容下端的12V点,才能算作一个电容的充放电流程,这个流程正是“电路原理”里面讲的 1个谐振周期的一半
在仿真里面,由于我加了两个0.1欧的电阻所以需要有个在谐振里面的频率修正公式
14.png
其实这个电阻很小,修补修正差别不大,然后给出仿真的图14看到,这个时间区间2.3us那里,是半个周期,换算回来差不多就是200K左右。
图14 15.png

这也解释了为什么在1楼的内容里面,如果我们设为200K的驱动频率的话,是不适合用在这套电路里面的,为此我们设计的最大频率,至少应该是在关断MOS管的时间范围内,包含了电容底部上升和下降到12V的时间。所以整个驱动的频率应该在200K的基础上降低。而实际让MOS管关断间隙的时间应该至少包含到电容下端(也就是MOS管D极)那里两次都到0V的时间,说白了就是要至少包含整个上半波。所以在仿真里面,我选取了150K的频率,实际里面测出来是175K左右
图15 微信图片_20180222191251.jpg

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通过上面的分析,总结下,在选用元器件的时候,需要把电容的耐压选到100V以上比较保险,电感的电流起码要大于2A,选4A及其以上的比较保险(但是这个不好选,都是定了的,QI线圈)。MOS管选耐压高点的,至少要100V以上,个人建议200V耐压比较保险。电流4A及其以上。二极管还是要SS56,



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 楼主| 发表于 2018-2-24 22:38:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 李维强-15级 于 2018-2-28 23:20 编辑

通过2楼的分析,得到该种方法对频率的的影响不敏感。。这种方法是对频率变低不敏感,对频率变高敏感。
显然频率变高会出现那个半波没有完全下降到0的时候,MOS管就开启了,那么电容上的能量就全部通过到地的电流流走了,没通过电感,这样就是能量的浪费,引起效率不高。
那么通过微分方程的公式,可以看出那个上半波的宽度只跟电容和电感的大小有关,也就是和电路的谐振频率有关,和电源电压没有关系,但是如果把频率调低了,MOS开通后的充电阶段,会有更多的电流流过电感,那么电感的能量会变大,转而在MOS关断的时候,把能量给电容,电容的电压就会上升更多,所以需要考虑个电容的耐压,和MOS管的Vds耐压,至于能够上升多少,这个也可以公式算出来,但是实际情况需要测量。

其次副边的引入会使得原边电感变小,这个很多文章也是这么写的,下面引一篇“磁耦合谐振式无线电能传输系统谐振方式分析——周宏威”上面的公式截图
图1

可以看到这个实际上1次侧上的电压会因为二次侧的引入而减小,这也是楞次定律。。。但是这个和实际又相反,因为实际上只要副边线圈一引入过后,我需要调小频率才能保持那个完整的上半波。。。。。这是我没想通的地方之一
而实际上 如果进入副边后,1次侧电感应该变小,那么整个频率就该增加才对。

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前两天谈了个业务耽搁了下,今天继续更新,
以上我认为电感变大的问题解决了,实际测试出来是和仿真一样。。。但是不知道为什么过了年回来却和仿真一致了。。。以下是视频验证
http://v30.cqutbbs.cn/uploadfile/image/20180228/tempMode.mp4

然后 我发现这个PP型的组态实际上,根据以上的分析,是只振荡了半个周期多一点点。。其他时候电感是在给电源充电和电源给电感充电的过程,电流变化的斜率是固定的,不存在振荡。虽然整个过程也可以让幅边感受到变化的磁场,但是这只是属于半个谐振,固控制这个的方法就相对容易了。。。而且这个对频率的变化很不敏感,意思就是只要频率小,那么电感充电就多,那么释放的能量就多,而对于串联型的话,必须需要谐振才能办到释放的能量多,对于串联,我想到个简单的控制方法,就是IR2110或者IR2184这种自带死区的半桥驱动。。
关于这个PP的控制,我之后再更~~
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 楼主| 发表于 2018-3-6 15:02:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 李维强-15级 于 2018-3-6 17:03 编辑

项目需求分析写得头胀了,所以玩下上次的帖子,接上次继续摆。。。
上次讨论到,那种组态实际上是有相当部分电流,在1个周期内回给电源的。。而且振荡周期为1半。。所以要使其在单mos管的情况下达到全周期的振荡,简单的办法就是在电源处加个二极管,肖特基的,
电路如下图1
图1 1.jpg
注意,这个需要选用耐压值高的,电流大的,所以这里我直接改的模型,IS要小,就是反向击穿的电流设置小点。耐压设置大点,通过前面的分析,知道反向电流的大小,等价于反向电压的大小,完全跟电感里面储能的大小一致,同样的,mos管的BV值也是500V。基于这个条件,在完全无耦合的情况下分析整个过程。这里王军熊测量到 在100K下面 电容的ESR大概在0.3左右,电感在0.01左右,所以特地把电容上端的电阻改为0.3了,另外线损算了0.1,即使这样,利用二楼的频率修正公式可以看到,频率也不会降低什么,数学上同样可以看成等幅振荡,损耗小。

下面分4个阶段看整个流程
图2 3.jpg

阶段1
还是和原来一样,MOS管关断的时候开始算起,这个时候,电感上有电流,MOS关断,电感的电流全部流向电容,使得电容下端电压增加,也就是MOS的D极电压增加,一直增加到电感电流为0的时候为最大值,也就是说电感电流为0了,电感就把全部能量传给电容了,也就是阶段1的最后,可以看到此时电容下端的电压达到最大值,电感,电容的电流为都0。

阶段2
由于此时电容下端电压很大,所以电流需要从电容的下端->电感下端->电感上端->R4->R3->电容上端,形成回路,实际上就是释放能量给电感,这个时候可以看到,电容下端的电压为什么不下降呢?且看右边那个图的阶段2,此时可以看到在阶段2里面,电容上端的电压实际上是在上升的,那么电容下端电压不怎么变,在70V左右,电容上端电压从12V上升,这个时候看出,电容两端的电压是在减小,说明电容确实是在放电,放能量。并且把能量从新放给电感。。而且这个时候,由于二极管的作用,电流只能在LC回路里面流,流不到电源里面去,这个是和楼上流程不一样的地方,也就是电容上端的电压会很大,这里仿真得到70V左右。
至于为什么这个时候,电容电流是下断流出,上端流入的,但是电容下端的电压为什么不降低?我想原因是,这个时候,电流既没流进电源,也没流到地,这个时候实际上是浮空的,所以本身就是70的这个电压等级开始的。但是这个解释存在问题,姑且不讨论

阶段3
在阶段2的最后时刻,也就是阶段3的开始,MOS管导通了,所以电容下端的电压直接被拉到地了,所以对应的,电容上端的电压也会被相应的下降。所以可以看到在右边的图上看到,电容上端的电压有个瞬间的下降,这个下降的大小和左边图片,MOS管D极电压下降的大小是一样的。而这个时候,电流实际上是达到了最大值的附近吧。又因为这个时候,电容下端电压在67V,电容上端电压在80V左右,所以压差在13V左右>12V电源压差,所以可以看出,这个时刻,电容实际上已经是在开始接收能量了(电容下端电压比上端电压低了),电感在释放能量了。电感的电流方向和阶段2一样,但是已经过了电流的极大值点了,开始减小了。
这个时候,MOS导通,让电容下端瞬间下降67V,那么电容上端会跟着下降67V,结果就是电容上端是13V左右,所以可以看出,这个时候即使开通MOS管,由于电容上端的电压大于电源电压,那么电源在这个时候也是不提供电流的,导致MOS管上也不会有电流流过。也多亏这个二极管的缘故,让大于的电压不会反冲到电源里面去。
在阶段3接下来的时间内,电感的电流变小,电容上端的电压增加,电容下端电压道地为0,和上面一样的二阶方程,过程就是电感给电容充电,电流回路看成:电感上端->R4->R3->电容上端->电容的下端->电感下端。
由于该过程内,电容上端电压始终大于电源电压,所以电源始终没有电流流出,MOS管上也没有电流通过。
在阶段3期间,电流会过0,这个时候,从右边的图可以看到,电流为0的时候,电容上端的电压达到最大值,这个时候的最大值已经是56V了,因为有两个电阻在消耗能量嘛,所以达不到最初的70V了。
电流过0后,由于电容上端的电压高,所以由电容给电感放电了,电流方向可以看成:电容上端->R3->R4->电感上端->电感下端->电容下端。这个时候电容的上端的电压开始降低,电感上的电流开始升高。。在电容上的电压降到18V左右的时候,阶段3结束。

阶段4
阶段3为什么在18V的时候结束?可以看到在阶段4开始的时候,电源上的电流开始起来了,但是为什么此时电容上端是18V呢?首先这个时候的电流在4A左右, R3,R4要分压吧。就算一共分2.5V,还剩14V,这个就已经和12V的临界值很接近了,而且在阶段3的后半段,电流从电感上端流向下端的过程中,仿真上看,也是有少许电流的,二极管本身就有漏电流,所以就可以看成这个时候,电容上端和电源电压持平了,而电感电流在4A左右,电感电流不能突变,所以这个时候,由电源供电给电感。
可以看到电源供电给电感是在阶段4的后半段,也就是整个周期的末尾,这个能量实际上就是补上R3,R4上消耗的差值,


在占空比50%,频率180K,R4=R3=0.3欧的情况下,电源给出的静态电流在300ma左右,无耦合端。整个流程就这样



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 楼主| 发表于 2018-3-6 18:22:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 李维强-15级 于 2018-3-6 23:13 编辑

上接4楼帖子,可以看到加一个二极管,整个振荡会出现一个周期,这样会大大提高振幅,也就是电流的变化量在电感里面来得更猛烈~~~

从上面的帖子看到需要考虑的因素:
1:MOS管,二极管的耐压要高,尤其是二极管,耐压要200V左右才好,电流要5A以上的。MOS管耐压也要100V以上,200V更好,电感的饱和电流需要在10A级别以上。电容的耐压也需要200V左右。选那种1000V的贴片为好。

2:从功率的角度
整个系统,电源供电的时候,就是在4楼的阶段4后半段。按照常理来说,如果系统启震了,那么一直关闭MOS管,我们会看到很长一段时间的等幅振荡。直到R3,R4把能量消耗完为止。但是在该系统内,可以看到,只要电感的电流方向为上端到下端,电容上端的电压下降到12V左右了,由于MOS管是开通状态,那么电源就会给电感供能,一直到MOS管关闭。
而电感上面要冲多少能量,最后消耗多少,最后成为一个波形一定振荡的周期,是一个相对的过程,是一个逐渐形成稳定的过程,可以从下面的图1,图2看出对比
图1,电路起始阶段,第一个波 5.jpg
图2,电路稳定后 4.jpg
既然电路稳定,那么就可以看成用掉的能量就等于电源给的能量了 。


3:从频率的角度
这里从频率的角度会出现一个问题,其实这个问题也是在楼上分析到了的,首先这些东西都是有个前提,就是电感上面的电流随便怎么流都可以,因为作为无线供电,电感上变化的电流本来就是我们需要的,而且对于联通的回路,电感上面的电流始终会有回路。。。
问题的关键点之一:电容上的能量不能被泄放掉,在这个组态中,换句话说,就是电容上面存在的电压差的时候,不能有电流使得其通过电源,电容直接到地的电流。这样就是把能量泄放掉了,引起浪费。

要点1 说简单点,就是在该电路组态上,电源看成12V,那么不能有电容下端的电压高于电容上端的时候,打开MOS管。并且不能有电容上下两端电压低于12V的时候,打开MOS管。这两个条件是并且关系

图3 6.jpg
可以从图3看到,(我这个截图那个点不是很准哈)电源下端电压低于上端,并且上下端电压差要大于12V的时候,开通MOS管,这个时候,电容两端的电压就高于电源电压了,所以电源的电流不会经过电容到地,形成一个极具大的电流,这个时候,我的频率是180K,50%的占空比。形成的平衡。
该平衡也可以另外理解为,电容全部把能量放给电感了,电感再把能量放了一点点给电容,电感电流方向是由下到上的时候,这一点点恰好使得电容两端电压高于12V。

分析了这点,就可以看到,如果我们把频率调高一点,例如200K,那么就可以推出,电容下端电压比上端高的时候,MOS管就打开了,这样电容上的能量瞬间会通过MOS管到地,造成损失。
图4 7.jpg
从图4可以看到,电容的电压有一个尖峰,这就是因为电容下端电压高,上端电压低。。。MOS导通导致一个到地的大电流,泄放了电容上的能量
不仅如此,如果MOS管开通的时候,电容上端的电压不大于下端12V的话,也会形成一个大电流,通过到地的回路,让电容上端电压比下端电压大12V,这个电流也是电源提供的。
例如,把频率开到190K,从图5可以看到
图5 8.jpg
图5可以看到电容两端相差4V左右,MOS开通,所以有个大电流,而这里存在混乱的折线,这个和仿真软件multisim有关,它不能很好的模拟尖峰电流,获取换14版比较好点。

所以通过以上分析,看到了 MOS管开通的时刻是有以上限制的。

从占空比的角度
实际上,从系统稳定住的最终效果来看,也就是波形稳定了的效果来看,真正流经MOS的电流就是给电感冲能量那一点点。。。
图6 9.jpg
从图6可以看出,这个缺缺的面积占整个周期有多大,电源给出的电流就有多大~~既然前面分析了,开通MOS管的时候需要特定的条件,那么我们在周期一定的情况下,降低开通所拥有的占空比,那么也就躲过了那个电容的条件,而且也能够照样给那个缺缺的时间段开启MOS管,所以我们把频率调到190K,(这个系统205K是60nF和10uH的谐振频率,算出来是205K,实际上差不多,关于周期,我补充下,并不是我们看到的这个余弦曲线,因为这个余弦曲线是电源参与了供电后的,也就是提前给电容充电12V的,实际算频率应该比这个余弦曲线短那么一点点。。。结算出来就是205K左右了)
然后把占空比调小到开通为40%,然后就看到没有电容泄放能量的现象了
图7 10.jpg

如果我们把占空比继续减小到刚刚和那个缺缺一样大,系统同样可以这样振荡
图8 11.jpg
从图8验证了我的想法~~
==================================================================================
但是这个调整占空比存在问题
1:占空比过小,有一定的危险,如下图8所示
图8 12.jpg
可以看到,蓝线是电流过0那一刻,经过这一刻了之后,电容会给电感供电,电容的电压会迅速下降,下降到红色那个点的时候,就是临界值点了,红色的时候,电容上端的电压刚好大于下端12V,如果此时过后还没有开通MOS管,那么电源会给MOS管充电了,就会造成大电流。所以建议的是,开通MOS管要在这个红色的临界值时间之前。

2:占空比小会有另外一个问题:
那就是 整个电路的振荡幅值会变小,简单点来说,就是由于占空比减小了,导致电路在最开始的时候,建立振荡的过程中 ,给电感充电的时间少,导致电感上面的能量小,导致幅值小,但是振荡周期还是靠LC的参数来定的。可以自行仿真比较,190K 40%占空比的振荡幅度就比180K 50%占空比的振荡幅度要小。但是这个引来另外一个好处振荡幅度小了,电源给出的净输出能量也小了,因为毕竟,我们在没有耦合,空载的时候,我们需要损耗尽可能的低。。。

例如 我们把频率调到200K,那么在占空比在12%的情况下,才能满足我上面提到的电容“要点1”,而可想而知,这个时候,给电感充能就很少了,振幅就很小了。
例如,我们把频率调到150K,那么在占空比50%的情况下,振幅明天提高很多,也满足要点1,但是这个时候,即使没有负载,电源给出的电流也很大,那么我们在150K的时候调整占空比到25%,这也是满足“要点1”的临界值了,仿真可以看到,电源给出的电流同样很大,如图9
图9 1.jpg ,所以空载的情况必须避免这种情况。当然在150K的时候,加上耦合,也可以看到效率会下降,因为在充电过程中,就是那个缺缺的时间太长,电流有很长时间变化量很小,导致磁通变化少,而电源又在满负荷给电感冲电,这样导致了效率低。。。
====================================================================================
最后总结下,加二极管,MOS的开通必须满足“要点1”,和频率有关系,频率不能高,也不能太低,在固定频率下和占空比也有关系。
那么这样,里面文章就有点意思了,就涉及到一种算法来控制了,因为控制得好,既可以在空载情况下出很小的电流,也可以在耦合情况下,通过设置频率和占空比,找到最优的频率和占空比值,达到效率最大,或者牺牲效率让幅边的带载能力加强

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 楼主| 发表于 2018-3-18 17:23:16 | 显示全部楼层
在耦合变大的情况下,会出现这种情况,
QQ图片20180318172215.jpg
QQ图片20180318172222.jpg
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本帖最后由 李维强-15级 于 2018-4-11 02:29 编辑

在下面加二极管,得到的效果图如下
1.png
从这个图可以看出,其实 二极管加到上面和下面 其实都一样。
虽然看出 在原先mos的D极 出现了电压的正弦信号,但是传输的关键还是在电感电流的变化上面。
从上面的图可以看出,整个过程中,实际上和之前讨论的,把二极管加到电源端是一样的,因为两者实际上都是断开了电源和地之间的回路,从而在震荡期间,电流都不会流回电源。

单看发射端:
改变占空比 基本不会影响电路的震荡,因为起决定性因素的,还是之前我说的 电容上面那个 缺缺,
2.png
3.png
上图是40%占空比和30%占空比的情形,可见是一样的。

然后说下为什么这次可以看到 D极上面电压的波形是正弦情况,原因就是加入二极管,在震荡的时候,二极管把地隔断了,而之前是因为MOS管内部有个反向二极管,相当于把地联通了的。

最后说下为什么这种方式耗能严重。
4.png
上图是在缺缺部分的放大图,从上图可以看到,大部分时间 电容和电感的电流实际上都是一样的,唯独在哪个缺缺的地方出现不同,上图中可以看到,实际上在该时间段内,mos是处于导通的,那么只要达到二极管导通条件,也就是二极管上端有0.7V的电压了,二极管就导通,那么从电源到电感,到二极管,到MOS,到地就通了,这个时候,相当于电源给电感充电,那么电感的电流就会以一个固定斜率上升,那么电源给电感增加的电流量实际就是上图红色部分的面积。
但是这个时候,电感本身就具备一个初始的电流,这个电流是震荡后,所有能量又转换给电感时候的电流,所以它自带一个初始值,而这个值恰恰是震荡过后,电感电流的最大值,可以看出 是上图黄色部分的面积,那么电源自然而然的会提供这个红色加黄色的电流通过电感倒地,
所以可以这么说,本身电源给电感做的有用攻是红色部分,因为他是使电感电流增大的部分,但是在这个前提是,必须提供黄色部分的基础电流,可看做电源给电感做的无用功,而这个黄色部分的基础电流本来就很大,导致了电源电流大,平白无故的损失了这么多电能,因为它是直接到地了。所以说这种方式 效率低。。



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